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50. 8 um/50. 8 um线路补偿的调试导入

来源:    编辑:    发布时间:2014-10-07 18:42:30    浏览量:

线路形状转移到于膜后把铜箔上多余铜用蚀刻液蚀刻掉,但足由于水坑效应的发生,在线路垂直方向的蚀刻液浓度不一样,导致线路产生侧蚀,若按正常比例设计线路进行图形转移,实际线路线宽要比设计时小,如图13,对线路阻抗特性要求高的电路,其阻抗发生变化导致的阻抗特性不匹配将直接影响电信号传输的可靠性。

一般线路板都有530mmX610mm大小,在DES生产时药水不停的喷淋,在线路板中部残留的药水要比四周的多而在表面形成水池效应,此时板中间的药水流动性差,药水的交换反应较慢,新鲜的药水不能即时补充,会阻隔后续药水的蚀刻效果,造成蚀刻均匀性不足,短路、毛边过大等异常等品质问题。为消除板内的水滞效应,在电路板上利用SET空间的间距,钻3.0mm的溢流孔使电路板在蚀刻时加速板中间的药水交换,消除水池效应,改善蚀刻效果。

因厂内未制作过50μm线路,故对线路补偿方面无参考数据,在项目制作前期,设计50μm线路模块的不同补偿值(含独立、密集、纵向、横向布线),并模拟电镀后的铜厚(25μm),LDI(激光直接成像)曝光蚀刻后对线宽进行量测分析,确定了50μm/50μm线路的最佳补偿值。

TL431与光耦组成的反馈关于反馈中的几个问题,希翼大神指教



上图中的R93与R95的具体作用是什么,请各位大神指点。

R93是光耦和431的限流电阻,R95增大光耦旁路电流,保证431最小工作电流大于1mA。

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