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新手使用硅动力6级能效芯片和苏州东微超级结MOS EMI解决过程

来源:    编辑:    发布时间:2018-05-29 08:37:50    浏览量:

一直在用SL的 平面MOS 5N65 做 5V 4.2A的 适配器,温升,效率都可以满足要求。

但2016年,6级能效开始实施,对温升和效率有了新的门槛,如果有COMOS,成本难以接受。 近来有供应商推荐苏州东微的GMOS,主芯片为SP6601 在使用时遇到这些问题。

1>直接替换,不做任何修改,板子不能启动。

2>直接替换,修改MOS驱动电阻,从10R 增加到390R,温升跟平面MOS一样,效率提升0.5%

3>直接替换,修改MOS驱动电阻,从10R 增加到470R,温升跟平面MOS相比下降5度,效率不变。

4>直接替换,驱动电阻选470R,但EMI比之前超出10DB。

5>直接替换,驱动电阻选470R,吸取回路 电容和电阻增大,加深。变压器EMI余量只有2DB。

后面会再发出相关测试图片,第一次发帖。

QQ图片20160114103836

MOSFET的驱动电阻不要用太大,否则会将MOSFET击穿

原先也是这么认为的,但是,MOSFET厂家说,他们是超级结MOS,结电容比平面MOS小,因此需要把驱动电阻调大。但是调到多少合理,不会有炸机隐患,需要按经验来选择。

比较纠结。。。

直接替换不作任何变更,为何不能启动? 试下华晶的新一代超结MOS,独家专利技术,可以轻松过EMI 搞雷击性能也会比一般的超结MOS要好,能源转换效率超过百分之九十五。我可以免费提供样品测试。 不能直接替换

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