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反激电路,原边反馈的问题

来源:    编辑:    发布时间:2018-05-28 08:18:54    浏览量:
给手机充电的电路,反激隔离电路,重点是原边反馈模式。如果反馈电阻生锈阻值变化,输出电压也会相应的增大或减小。减小没有关系,如果增大的话会烧坏负载。 哪位有什么好的预防措施呢,从输出接一块输出过压切断保护,还是有什么别的方法预防,只要求不能超压就行,不充电没有关系。谁给分析一下。 或者这种电阻变质的情况是不是基本不存在呢。

1.一般地,電阻這种故障應當是極低的

2.再者,PSR的VCC一般都是有OVP保護功能,即當反饋電阻阻值變更導致輸出電壓升高,那麼VCC電壓也會升壓,會觸發IC的保護機制的

我现在用的这款ic,应该没有过压保护功能。即使反馈电阻异常时,输出还是过压而且具有带载能力。 我测试的时候是将R5阻值更换成24K以上,输出会过压。 U1的3脚是原边反馈管脚。 如果说不好避免这个问题的话,将反馈电阻打上环氧树脂胶会不会避免电阻变质的可能性。

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电阻生锈还是第一听到

IC都有过压保护,电压增大就保护了,对手机没影响

輸出加個6V穩壓管, 讓電壓超過穩壓管擊穿, 造成短路打嗝就好了...... 我试过了,用的一个5V6的稳压管,超压后输出为打嗝状态。可以输出波形每次约有200ms的高压状态。这个时间对手机会不会影响比较大。 可在电阻R5上并联一个稳压二极管,当R5失效时(>24K)稳压管工作起双保险作用。不过电阻变质还真没听说过······ 你的意思是在U1的3脚和地线间放一个稳压二极管吗。还是并在R5上。 我测试了一下3脚的波形用正常的24K电阻和30K电阻,ic的3脚波形压降没什么变化,主要变化的是频率。 1图是24K 2图是30K

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稳压二极管并在R5上,IC的3脚VSE相当于参考电压基本不变,输出电压=n*2.32*(R5+R6)/R6。稳压二极管的结电容不知是否会带来不利影响,实测一下。 這已經壓在5V以下了, 對手機沒影響, 只對電源有影響, 讓他短路個一天, 看IC與輸出二極體會不會發燙, .... 这是ic的反馈脚波形,输出已经6V以上了

是200mS間隔打一次高壓? 還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?

前者調整高壓啟動電阻讓啟動變慢, 則打嗝時間自然變慢

後者是與你的ISE頂到位置有關, 所以

1), 你先在滿載*150%負載下, 看看電源是否可以進OPP模式(開始打嗝)

2). 若不可以, 負載需要到180%, 那就先調回來, 那只要增大R7或R8就可以

3). 調回來後, 看過電壓穩壓管擊穿後, 打嗝的週期寬度為多少

4). 若還有100mS, 那就把OPP調到130%區間........

一般半導體Over Spec 測定值為600uS , 但你從手機u-Usb進入, 內有電容還有充電電路, 預估應該壓在50mS以下才安全....

属于后者 已经被添加到社区经典图库喽
/ 扁平线电感/bbs/classic/ 谢谢各位前辈们提的意见,给分析一下我的担心有没有必要。 我担心的就是R5阻值变质,实测增大后输出电压也会增大。 加一个过压保护功能,或者做一个过压钳位什么的。都有什么方式,要求只要不会烧手机就行,异常了损坏电路没有关系。成本不能太高。

QQ截图20170420140549

那你只好這樣用

x506

因為穩壓管速度慢, 所以你電壓還會往上, 用這電路直接把他拉下來, MOSFET可選用DFN 3x3 則RDSon 會更小

將432(因為431導通電壓太高怕Mosfet_VGS不足) 設為5.5V導通, 若你有線補功能, 若線補電壓為0.3V, 則設5.5V若線補電壓為0.4則設5.6V, 當導通後P-mos 直接兩端短路.........

1、有些三极管类IC是没有加过压保护功能的,需要外加保护电路,最简单输出并个5.6V稳压管。

电阻变大的话虽然输出电压升高,但系统默认还是正常的,触发不了芯片的过压保护吧,除非在后级做限制,直接加一个稳压管不好吧,不稳定吧

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