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给手机充电的电路，反激隔离电路，重点是原边反馈模式。如果反馈电阻生锈阻值变化，输出电压也会相应的增大或减小。减小没有关系，如果增大的话会烧坏负载。 哪位有什么好的预防措施呢，从输出接一块输出过压切断保护，还是有什么别的方法预防，只要求不能超压就行，不充电没有关系。谁给分析一下。 或者这种电阻变质的情况是不是基本不存在呢。

1.一般地，電阻這种故障應當是極低的

2.再者，PSR的VCC一般都是有OVP保護功能，即當反饋電阻阻值變更導致輸出電壓升高，那麼VCC電壓也會升壓，會觸發IC的保護機制的

我现在用的这款ic，应该没有过压保护功能。即使反馈电阻异常时，输出还是过压而且具有带载能力。 我测试的时候是将R5阻值更换成24K以上，输出会过压。 U1的3脚是原边反馈管脚。 如果说不好避免这个问题的话，将反馈电阻打上环氧树脂胶会不会避免电阻变质的可能性。

电阻生锈还是第一听到

IC都有过压保护，电压增大就保护了，对手机没影响

輸出加個6V穩壓管, 讓電壓超過穩壓管擊穿, 造成短路打嗝就好了...... 我试过了，用的一个5V6的稳压管，超压后输出为打嗝状态。可以输出波形每次约有200ms的高压状态。这个时间对手机会不会影响比较大。 可在电阻R5上并联一个稳压二极管，当R5失效时（>24K）稳压管工作起双保险作用。不过电阻变质还真没听说过······ 你的意思是在U1的3脚和地线间放一个稳压二极管吗。还是并在R5上。 我测试了一下3脚的波形用正常的24K电阻和30K电阻，ic的3脚波形压降没什么变化，主要变化的是频率。 1图是24K 2图是30K

稳压二极管并在R5上，IC的3脚VSE相当于参考电压基本不变，输出电压=n*2.32*(R5+R6)/R6。稳压二极管的结电容不知是否会带来不利影响，实测一下。 這已經壓在5V以下了, 對手機沒影響, 只對電源有影響, 讓他短路個一天, 看IC與輸出二極體會不會發燙, .... 这是ic的反馈脚波形，输出已经6V以上了

是200mS間隔打一次高壓? 還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?

前者調整高壓啟動電阻讓啟動變慢, 則打嗝時間自然變慢

後者是與你的ISE頂到位置有關, 所以

1), 你先在滿載*150%負載下, 看看電源是否可以進OPP模式(開始打嗝)

2). 若不可以, 負載需要到180%, 那就先調回來, 那只要增大R7或R8就可以

3). 調回來後, 看過電壓穩壓管擊穿後, 打嗝的週期寬度為多少

4). 若還有100mS, 那就把OPP調到130%區間........

一般半導體Over Spec 測定值為600uS , 但你從手機u-Usb進入, 內有電容還有充電電路, 預估應該壓在50mS以下才安全....

属于后者 已经被添加到社区经典图库喽
/ 扁平线电感/bbs/classic/ 谢谢各位前辈们提的意见，给分析一下我的担心有没有必要。 我担心的就是R5阻值变质，实测增大后输出电压也会增大。 加一个过压保护功能，或者做一个过压钳位什么的。都有什么方式，要求只要不会烧手机就行，异常了损坏电路没有关系。成本不能太高。

那你只好這樣用

因為穩壓管速度慢, 所以你電壓還會往上, 用這電路直接把他拉下來, MOSFET可選用DFN 3x3 則RDSon 會更小

將432(因為431導通電壓太高怕Mosfet_VGS不足) 設為5.5V導通, 若你有線補功能, 若線補電壓為0.3V, 則設5.5V若線補電壓為0.4則設5.6V, 當導通後P-mos 直接兩端短路.........

1、有些三极管类IC是没有加过压保护功能的，需要外加保护电路，最简单输出并个5.6V稳压管。

电阻变大的话虽然输出电压升高，但系统默认还是正常的，触发不了芯片的过压保护吧，除非在后级做限制，直接加一个稳压管不好吧，不稳定吧

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