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　　众所周知，HFSS里面的吸取边界条件有3个，分别是Radiation（ABC）、PML和FE-BI，那么这三个边界的应用有什么区别？应该怎么应用呢？今天小编在这里给大家好好分析一下。

　　Radiation边界（ABC）：

　　— 计算天线等强辐射问题时，距离辐射体应当至少λ/4;

　　— 对于弱辐射问题，仅考虑辐射损耗，不关心远场时，可以小于λ/4;

　　— 在定义辐射边界条件的面上积分得到远场辐射方向图（默认），也可以自行定义计算远场时的积分面（建立Facelist）;

　　— 辐射边界条件上的网格密度对于天线辐射特性的计算精度有影响;

　　— 辐射边界条件的吸取性能与入射角相关，入射角大于40 度时，吸取效果明显降低。

　　Radiation边界与入射角的关系如下图：

　　Radiation边界与辐射体距离的关系如下图：

　　由上图可以看到，Radiation边界与波的入射角度和辐射体距离都有很大的关系，对仿真结果的影响比较大。

　　PML边界：

　　— 到辐射体的距离可以是λ/20 ，也能很好吸取;

　　— 对于需要求解远场方向图的场合，距离辐射体λ/4仍然是必要的;

　　—PML表示无限大的自由空间，吸取辐射出来的电磁场，真正零反射;

　　— 计算远场时，App自动将PML的基准面定义为积分表面，以便得到远场方向图;

　　— 可以替代Radiation边界条件，并且更精确。

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MOS管就是双向导通的；


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