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反激DCM模式RCD参数计算

来源:    编辑:    发布时间:2021-01-05 07:23:51    浏览量:

这里首先提供几篇应用手记上的计算方法,然后对其进行改进对比,然后在仿真中对比实际结果。

首先大家将关心的因素缩小,把主要考虑的元素分为Mos管的等效输出电容Coss,变压器励磁电感Lm,变压器的初级漏感Lkp作为考虑对象。

如图所示,如果不加RCD钳位,电路在DCM模式下,电路可能发生两次振荡,第一次主要是初级漏感Lkp和Coss的电容引起的,第二次主要是在电路能量耗尽后,励磁电感和Coss电容振荡引起的这里需要补充一下,在仿真的时候,已经观察到了这个明显的现象了。

下面开始大家的计算:

计算过程,把Flyback的计算过程带入其中:

找了好些文档都是这么计算的,不过我发现几个问题 1.消耗的能量不仅仅是漏感的,也包括励磁电感的能量 2.在钳位过程中,电压是变化的,并不存在彻底钳位在V.c_mx的情况发生 因此大家需要修改模型

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